Конкретные значения R _{СИ отк} можно увидеть на таблице 1, в которой сравниваются транзисторы SuperMESH STP13NK60Z и транзисторы предыдущего поколения STP9NB60 и STP9NC60. Размер кристаллов у обоих транзисторов сопоставим.

STP9NB60 STP9NC60 STP13NK60Z U СИ.max, В 600 600 600 I C max 9 9 10 U СИ nop 3…5 2…4 3…4.5 R СИ отк 0.8 0,75 0,55

Следующая таблица даёт детальное сравнение для транзисторов с одинаковым R _{СИ отк}. Увеличение кристалла с 25 мм² до 34 мм² в корпусе TO-220 и D2PAK при том же самом уровне напряжения (600 В) позволило снизить сопротивление сток - исток в открытом состоянии до значения менее 0.4 Ом.

STP9NB60 STP9NC60 STP13NK60Z U СИ.max, В 600 600 600 C11И, пФ 1,480 1,420 1,370 C22И, пФ 210 205 156 C12И, пФ 25 35 37 Qз,нК 40 55 46 tнр, нс, при 25° 480 500 410 Защитный диод dv/dt=4,5 В/нс di/dt=200А/мкс dv/dt=4 В/нс di/dt=200А/мкс dv/dt=4,5 В/нс di/dt=200А/мкс ESD (HBM) 4,000 4,300 5,900 R СИ отк*Qз 32 41 34

СЕМЕЙСТВО SuperMESH

Тип U СИ.max, В R СИ отк Корпус STP20NK50Z 500 0,27 TO-220 STW20NK50Z TO-247 STP15NK50Z/FP 500 <0,36 TO-220/FP STW15NK50Z TO-247 STP14NK50Z/FP 500 0,38 TO-220/FP STW14NK50Z TO-247 STP5NK50Z/FP 500 1,5 TO-220/FP STD5NK50Z-1 IPAK STL5NK55Z 550 1,1 PowerFLAT STP14NK60Z/FP 600 <0,5 TO-220/FP STW14NK60Z TO-247 STP13NK60Z/FP 500 0,55 TO-220/FP STW13NK60Z TO-247 STP10NK60Z/FP 600 0,75 TO-220/FP STP9NK60Z/FP 600 0,95 TO-220/FP STP6NK60Z/FP 600 1,2 TO-220/FP STP5NK60Z/FP 600 1,6 TO-220/FP STP9NK65ZFP 650 1,2 TO-220/FP STP5NK65Z 650 1,8 TO-220 STL5NK65Z PowerFLAT STP9NK70Z/FP 700 1,2 TO-220/FP STP10NK80Z 800 0,9 TO-220 STW10NK80Z TO-247 STP7NK80ZFP 800 1,8 TO-220/FP STP5NK80ZFP 800 2,4 TO-220/FP

Рис 1. Разрез структуры SuperMESH.

ПРИМЕНЕНИЕ

Транзисторы SuperMESH охватывают такие области применения, как бесперебойные источники питания, адаптеры, зарядные устройства, корректоры коэффициента мощности, электронные балласты ламп и лампы вспышки.

РАЗВИТИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

За последние пять лет высокие результаты были получены фирмой ST в области улучшения и оптимизации транзисторов MOSFET диапазона напряжения более 400 В. Серия "NB" (также упоминающегося как PowerMESH I) все еще считается идеальным компромиссом между рабочими характеристиками и конкурентоспособностью.
В следствие рыночной тенденции и в соответствии со спросом клиентов было создано второе поколение транзисторов - "NC" или PowerMESH II серия. В них было улучшено соотношение "параметры - цена" в сторону увеличения конкурентоспособности. Этот шаг позволил укрепить позицию STMicroelectronics на рынке производителей электронных компонентов. Следующий этап в развитии технологии (PowerMESH III) был осуществлен для расширения ряда транзисторов с напряжениями 700 В, 800 В, и 900 В (ряд NCxxZ), которые также имеют встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор и исток.
Разработка и промышленное развитие революционной технологии MDmesh привели к улучшению сопротивления сток-исток в открытом состоянии и уникальным параметрам переключения.

Рис 2. Развитие технологии MOSFET

! Полное или частичное копирование материалов допускается только с разрешения ООО "Дектел Электроникс"