О Компании Новости Каталог Аналоги Прайс-лист Оформить заявку
+7 (495) 610-6591
+7 (495) 610-8863
+7 (495) 610-9180
О компании
Новости \Публикации \"NK" серия высоковольтных MOSFET транзисторов

"NK" серия высоковольтных MOSFET транзисторов

Сергей Белялов,
Александр Шелохнёв

Фирма STMicroelectronics, исследовав возможности технологии Mesh Overlay, разработала и оптимизировала серию транзисторов SuperMESH. В транзисторах этой серии между выводами затвор и исток были добавлены защитные стабилитроны.

Первыми транзисторами из этой серии стали STP13NK60Z, 600 В MOSFET с типовым сопротивлением сток-исток в открытом состоянии R СИ отк 460 мОм, и 500 В STP14NK50Z сопротивлением 330 мОм. Оба транзистора выпущены в корпусе ТО-220.

Транзисторы MOSFET серии SuperMESH (семейство NK) отличаются от предыдущего поколения транзисторов более низким сопротивлением сток-исток (R СИ отк) в открытом состоянии. Таким образом, потребитель может получить дополнительную экономию за счет использования меньшего радиатора, что ведет к экономии места на плате, упрощению технологии, уменьшению массы и габаритов изделия и т.д.

Семейство SuperMESH имеет встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор - исток, что защищает переход от электростатических разрядов и выбросов напряжения во время переходных процессов. Встроенные стабилитроны устраняют необходимость установки внешних защитных компонентов. Уменьшение порогового напряжения U ЗИ nop , c 2 В до 1.5 В позволяет упростить цепь управления.

Конкретные значения R СИ отк можно увидеть на таблице 1, в которой сравниваются транзисторы SuperMESH STP13NK60Z и транзисторы предыдущего поколения STP9NB60 и STP9NC60. Размер кристаллов у обоих транзисторов сопоставим.

  STP9NB60 STP9NC60 STP13NK60Z
U СИ.max, В 600 600 600
I C max 9 9 10
U СИ nop 3…5 2…4 3…4.5
R СИ отк 0.8 0,75 0,55

Следующая таблица даёт детальное сравнение для транзисторов с одинаковым R СИ отк. Увеличение кристалла с 25 мм2 до 34 мм2 в корпусе TO-220 и D2PAK при том же самом уровне напряжения (600 В) позволило снизить сопротивление сток - исток в открытом состоянии до значения менее 0.4 Ом.

  STP9NB60 STP9NC60 STP13NK60Z
U СИ.max, В 600 600 600
C11И, пФ 1,480 1,420 1,370
C22И, пФ 210 205 156
C12И, пФ 25 35 37
Qз,нК 40 55 46
tнр, нс, при 25° 480 500 410
Защитный диод dv/dt=4,5 В/нс
di/dt=200А/мкс
dv/dt=4 В/нс
di/dt=200А/мкс
dv/dt=4,5 В/нс
di/dt=200А/мкс
ESD (HBM) 4,000 4,300 5,900
R СИ отк*Qз 32 41 34

СЕМЕЙСТВО SuperMESH

Тип U СИ.max, В R СИ отк Корпус
STP20NK50Z 500 0,27 TO-220
STW20NK50Z 500 0,27 TO-247
STP15NK50Z/FP 500 <0,36 TO-220/FP
STW15NK50Z 500 <0,36 TO-247
STP14NK50Z/FP 500 0,38 TO-220/FP
STW14NK50Z 500 0,38 TO-247
STP5NK50Z/FP 500 1,5 TO-220/FP
STD5NK50Z-1 500 1,5 IPAK
STL5NK55Z 550 1,1 PowerFLAT
STP14NK60Z/FP 600 <0,5 TO-220/FP
STW14NK60Z 600 <0,5 TO-247
STP13NK60Z/FP 500 0,55 TO-220/FP
STW13NK60Z 500 0,55 TO-247
STP10NK60Z/FP 600 0,75 TO-220/FP
STP9NK60Z/FP 600 0,95 TO-220/FP
STP6NK60Z/FP 600 1,2 TO-220/FP
STP5NK60Z/FP 600 1,6 TO-220/FP
STP9NK65ZFP 650 1,2 TO-220/FP
STP5NK65Z 650 1,8 TO-220
STL5NK65Z 650 1,8 PowerFLAT
STP9NK70Z/FP 700 1,2 TO-220/FP
STP10NK80Z 800 0,9 TO-220
STW10NK80Z 800 0,9 TO-247
STP7NK80ZFP 800 1,8 TO-220/FP
STP5NK80ZFP 800 2,4 TO-220/FP

Рис 1. Разрез структуры SuperMESH.
Рис 1. Разрез структуры SuperMESH.

ПРИМЕНЕНИЕ

Транзисторы SuperMESH охватывают такие области применения, как бесперебойные источники питания, адаптеры, зарядные устройства, корректоры коэффициента мощности, электронные балласты ламп и лампы вспышки.

РАЗВИТИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

За последние пять лет высокие результаты были получены фирмой ST в области улучшения и оптимизации транзисторов MOSFET диапазона напряжения более 400 В. Серия "NB" (также упоминающегося как PowerMESH I) все еще считается идеальным компромиссом между рабочими характеристиками и конкурентоспособностью.
В следствие рыночной тенденции и в соответствии со спросом клиентов было создано второе поколение транзисторов - "NC" или PowerMESH II серия. В них было улучшено соотношение "параметры - цена" в сторону увеличения конкурентоспособности. Этот шаг позволил укрепить позицию STMicroelectronics на рынке производителей электронных компонентов. Следующий этап в развитии технологии (PowerMESH III) был осуществлен для расширения ряда транзисторов с напряжениями 700 В, 800 В, и 900 В (ряд NCxxZ), которые также имеют встроенные встречные стабилитроны между выводами затвор и исток.
Разработка и промышленное развитие революционной технологии MDmesh привели к улучшению сопротивления сток-исток в открытом состоянии и уникальным параметрам переключения.

Рис 2. Развитие технологии MOSFET
Рис 2. Развитие технологии MOSFET

 

! Полное или частичное копирование материалов допускается только с разрешения ООО "Дектел Электроникс"

О Компании Новости Каталог Аналоги Прайс-лист Вверх
© Дектел Электроникс
127322, Москва, ул.Милашенкова, д.22
Схема проезда...
E-mail: info@dectel.ru
Тел./факс: +7(495)610-6591, +7(495)610-8863,
+7(495)610-9180, +7(495)610-9443
radionet
ChipFind - поисковая система по электронным компонентам Рейтинг@Mail.ru